с тестом по электротехнике Полупроводниковые приборы диод ─ это
а) один p-n переход
б) два p-n перехода
в) три p-n перехода
2.У плоскостных диодов сопротивление в прямо смещенном состоянии
а) такое же, как у точечного диода
б) больше, чем у точечных диодов
в) меньше, чем у точечных диодов
3.Кремниевый стабилитрон предназначен для
а) преобразования переменного напряжения в постоянное
б) преобразования постоянного напряжения в переменное
в) преобразования высокочастотного сигнала в низкочастотный
г) стабилизации постоянного напряжения
д) стабилизации переменного напряжения
4.В основу работы опорного диода положено явление
а) фотоэлектронной эмиссии и управляемый электрический
пробой в p-n переходе
б) холодной эмиссии и управляемый тепловой пробой в p-n переходе
в) холодной эмиссии и управляемый электрический пробой в p-n переходе
г) холодной эмиссии и управляемый туннельный пробой в p-n переходе
5.При проектировании электронных устройств на полупроводниковых
кремниевых диодах можно не учитывать
а) тепловой ток
б) ток термогенерации
в) ток рекомбинации
г) диффузионный ток
6.Принципиальное отличие транзистора структуры n-p-n от
структуры p-n-p определяется типом
б) количеством p-n-переходов
в) источников питания
г) проводимости
7.В транзисторах n-p-n-структуры основными носителями являются
а) дырки
б) электроны
в) позитроны
г) нейтроны
8.В транзисторах p-n-p структуры основными носителями являются
а) нейтроны
б) электроны
в) позитроны
г) дырки
9.Чтобы ток базы был наименьшим, её делают
а) тонкой и сильно легируют примесью
б) массивной и сильно легируют примесью
в) тонкой и слабо легируют примесью
г) массивной и слабо легируют примесью
10.Коллекторный переход (КП) обычно делают более массивным, чем
эмиттерный, потому что
а) коллекторный ток самый большой в транзисторе
б) через КП течёт ток примерно равный току эмиттера, но он течёт через
большое сопротивление обратно смещенного КП и под действием
напряжения большего, чем на ЭП
в) через КП текут токи неосновных носителей, за счёт которых сильно
возрастает мощность, рассеиваемая на р- n -переходе
11.В основу классификации схем включения транзистора положен тот
электрод, который будет
а) расположен на входе усилителя
б) расположен на выходе усилителя
в) общим для входной и выходной цепей
г) под положительным потенциалом относительно земли
д) под отрицательным потенциалом относительно земли
12.Схема на транзисторе с ОЭ ─ это схема
а) с базовым управлением
б) с коллекторным управлением
в) с эмиттерным управлением
13.Лучшими усилительными свойствами по току обладает схема
а) ОЭ б) ОБ в) ОК
14.Усилительные свойства транзистора по току можно оценить
статическим параметром
а) h11 б) h22 в) 1/h22 г) h12 д) h21
15.Тиристор-это
а) один p-n переход
б) два p-n перехода
в) три p-n перехода
г) три и более p-n переходов
16.Полупровдниковый прибор с тремя электродами и тремя p-n-
переходами называется
а) симистор
б) тринистор
в) динистор
17.Номинальные значения тока в открытом и напряжения в закрытом
состояниях тиристоров достигают
а) 5 кА и 5кВ
б) 5А и 5В
в) 5МА и 5МВ
г) 50кА и 50кВ
18.Изменение ёмкости p-n-перехода в зависимости от приложенного к
нему напряжения используется
а) в терморезисторах
б) в фотодиодах
в) в варикапах
19.Приборы работать в качестве источников и приёмников
излучения относятся
а) к термоэлектронным
б) к оптоэлектронным
в) к вакуумным
20.Работа фотоэлектронных приборов основана
а) на явлении генерации избыточных пар носителей заряда под действием
излучения
б) на изменении ёмкости p-n-перехода в зависимости от приложенного
напряжения
в) на явлении взаимодействия двух близко расположенных p-n-переходов