78 9 есеп өтінем көмектесінізші​

Фосфор - элемент главной подгруппы 5 группы, кремний - элемент 4 группы. поэтому фосфор с избыточным электроном (по сравнению с кремнием) явдяется донором и полупроводник становится n - типа. концентрация свободных носителей . в примесном полупроводнике концентрация примесных электронов намного больше собственной концентрации свободных носителей заряда. поэтому концентрация носителей заряда примерно равна концентрации молекул примеси
n = ro/Mr*Na * 0,00001/100 = 2400/(0,028)*6e23*0,00001/100 м^(-3)= 5,14E+021 м^(-3)
 

В материальных уравнениях, в вакууме, через магнитную проницаемость связаны вектор напряжённости магнитного поля H и вектор магнитной индукции B:

B=µ0*H (1)

Единица измерения напряженности магнитного поля (А/м)

µ0 иногда называют магнитной проницаемостью вакуума. Измеряется в генри на метр (или в ньютонах на ампер в квадрате). Магнитная постоянная равна:

µ0=4pi*10^-7=1.25663706*10^-6 Гн/м=1.25663706*10^-6 Н/А^2

∆Ф=B*∆Scosa-поток вектора магн. индукции 

ε=-∆Ф/∆t

ε*∆t=-∆Ф

ε*∆t=B*Scosa

cosa=1 

ε=IR

IR∆t=B*S

Q=I∆t

QR=B*S

подставим вместо В (1)

QR=µ0*H*S

Q=µ0*H*S/R

подставим числовые значения

Q=1.25663706*10^-6*80*10^3*10*10^-4/1= 10^-4 = Кл

Q=10^-4 = Кл