Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
Відповідь:
Потенціал точки 2- 90мВ, а 3-20мВ
Пояснення:
Будемо використовувати правила Кірхгофа.
1)алгебраїчна сума сил струмів, вхідних у вузол електричного кола, рівна алгебраїчній сумі вихідних з вузла значень сил струмів
2) Для будь-якого замкнутого контуру проводів сума електрорушійних сил дорівнює сумі добутків сил струму на кожній ділянці контуру на опір ділянки, враховуючи внутрішній опір джерел струму.
Нехай 1 Ом=R
Нехай через резистор опором 2R йде струм I, тоді через резистор 3R йде струм 50мА-І, тоді через резистор опором R йде струм І+30 мА.
Тоді звернемо увагу на підключення до точок 1 та 2
3R(50мА-І)=2RI+R(І+30 мА)=U2-U1
150 мА-3І=2І+І+30мА
6І=120мА
І=20мА
Тоді напруга це і є різниця потенціалів точок 1 і 2, але оскільки потенціал точки 1 0, то це і є потенціал точки 2.
U2=3*1 Ом*30мА=90мВ
Різниця потенціалів 2 і 3 це R*70мА=U2-U3
U3=20мА*R=20мВ
