Чтобы получить полупроводник с дырочкой проводимостью в чистый кремний можно добавить небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия) . Каждый атом примеси устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния. Для установки связи с четвёртым атомом кремния у атома индия нет валентного электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом, вследствие чего образуется дырка. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными.
1. При абсолютном нуле температур у металлов есть электроны проводимости. Это обусловливается наличием свободных квантовых состояний в вырожденных по энергии зонах электронных оболочек металлов. То есть, валентная зона перекрывается с зоной проводимости. У полупроводников при нуле температур электроны проводимости отсутствуют. Это обусловливается тем, что квантовые состояния энергетически вырожденных зон либо полностью заняты, либо полностью свободны. То есть, между валентной зоной и зоной проводимости есть запрещенная зона. 2. Состояние электрона в полупроводнике (по крайней мере, в примесном и собственном) описывается как связанное с дыркой состояние - квазичастицей экситоном. Это обусловливает спектральное расщепление. Состояние электрона проводимости в металле характеризуется как квазисвободное: из-за перекрытия волновых функций атомов кристалла спектр излучения электронов проводимости практически непрерывен. 3. Состояние электронов проводимости непереходных металлов описывается моделью слабой связи, в то время как состояние электронов проводимости полупроводников описывается моделью сильной связи.
0,0(0 оценок)
Полный доступ
Позволит учиться лучше и быстрее. Неограниченный доступ к базе и ответам от экспертов и ai-bota
Оформи подписку
