Напряженность поля, созданного точечным зарядом в точке, находящейся на расстоянии r от него, вычисляется по формуле:
E = kq / r ^ 2.
Тогда:
E1 = 9 * 10 ^ 9 * 2 * 10 ^ ( - 8) / (9 * 10 ^ ( - 4)) = 2 * 10 ^ 5 В / м;
E2 = 9 * 10 ^ 9 * 1,6 * 10 ^ ( - 7) / (16 * 10 ^ ( - 4)) = 9 * 10 ^ 5 В / м.
По теореме Пифагора (треугольник со сторонами 3, 4, 5 - прямоугольный);
E = корень квадратный из (Е1 ^ 2 + E2 ^ 2);
E = корень квадратный (4 * 10 ^ 10 + 81 * 10 ^ 10) = 9,22 * 10 ^ 5 В / м.
Только поменяй 10 на 20 и все
1.структура трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный»
Объяснение:
2.принцип работы Направление стрелки показывает направление тока через эмиттерный переход в активном режиме и служит для указания n-p-n и p-n-p транзисторов. Окружности символизирует транзистор в индивидуальном корпусе, отсутствие — транзистор в составе микросхемы.
3.Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента (например, в схемах ТТЛ).
