Какой должна быть эдс батареи в схеме на рисунке, чтобы напряженность поля в плоском конденсаторе с была 50 кв/м, если расстояние между пластинами конденсатора 0,1 мм, а r1=2r2=r3=r.

Чтобы получить полупроводник с дырочкой проводимостью в чистый кремний можно добавить небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия) . Каждый атом примеси устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния. Для установки связи с четвёртым атомом кремния у атома индия нет валентного электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом, вследствие чего образуется дырка. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными.

1)α = 30°, γ = 22°26', n₁= 1 (вакуум), υ₁= 3*10⁸ м/с (скорость света в вакууме)
n₂- ? υ₂ - ?
sin α / sin γ = n₂/ n₁= υ₁/ υ₂
n₂=  sin α / sin γ *n₁= sin 30° / sin 22°26' ≈ 1/2/0,382 ≈ 1,31
υ₂= n₁* υ₁/ n₂= 3*10⁸ м/с / 1,31 ≈ 2,29*10⁸ м/с
2)
Свет падает из оптически более плотной среды (легкий крон, n1 = 1,6) в оптически менее плотную (вода n2 = 1,3) => угол падения должен быть меньше угла преломления
γ = 45°
sin α / sin γ = n2 / n1 => sin α = n2*sin γ / n1 = 1,3*sin 45°/1,6 = 1,3*0,707/1,6 =
0,574 => α = arcsin 0.574 ≈ 35°