Частица находится в бесконечно глубоком, одномерном, прямо¬угольном потенциальном ящике шириной l. Вычислить отношение вероятностей W1\W2 местонахождения частицы на первом п1 и втором n2 энергетических уровнях в средней трети (⅓l<х<⅔l) ящика.

Від типу речовини.

Від площі перерізу S

Від довжини провідника l

Від температури

Объяснение:

Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір  матеріалу, з якого зроблений провідник.

Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.

Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.

Вариант 1.
1) Q=q*N=1,6*10^-19*8,0*10^10=12,8*10^-9Кл
2) Во вложении
4) Сначала заряд на обкладках конденсатора будет равен q=C*U.Емкость конденсатора после внесения  диэлектрика с диэлектрической проницаемостью е увеличится в e раз и станет равной e*C, при этом заряд увеличится и станет равен q2=e*C*U, а значит через источник тока пройдет заряд равный q2-q=C*U(e-1)
Вариант 2.
1) 6кН
2) F=k*Q1*Q2/e*R^2
Q2=e*F*R^2/k*Q1=56*120*10^-6*4*10^-4/9*10^9*10*10^-9=29,8нКл
4) C=Q/U следовательно U=Q/C. Если конденсатор отключен, то Q не изменяется
С=E*Eo*S/d При увеличении d в k раз С уменьшится в k раз. Поэтому
U те дельта фи . Увеличится в k раз те U=k*Uo