Похідне явище залежить тільки від відносного руху провідника та магніту, тоді як звичайна думка малює різку різницю між цими двома справами, в якій або інше, або інше тіло. Бо якщо магніт рухається, а провідник спирається, в околиці магніту відбувається виключення електричного поля з певною щільністю енергії, створюючи струм, де знаходиться провідник. Але якщо магніт відпочиває, а провідник рухається, то в околицях магніту ніякого електричного поля не відбувається. Однак у провіднику ми знаходимо силу електроенергії, для якої сама по собі не має відповідної енергії, але яка викликає, - припускаючи рівність відносного руху у двох випадках - електричних струмах вздовж того ж напрямку і тієї ж інтенсивності, як у першому випадку.
Магнiт по вiдношенню до котушки
Проще говоря, полупроводниковые устройства представляют собой тип электронных компонентов, которые спроектированы, разработаны и изготовлены на основе таких полупроводниковых материалов, как кремний (Si), германий (Ge) и арсенид галлия (GaAs).
С момента их использования в конце 1940-х (или начале 1950-х) полупроводники стали основным материалом при производстве электроники и ее вариантов, таких как оптоэлектроника и термоэлектроника.
До использования полупроводниковых материалов в электронных устройствах вакуумные лампы использовались в конструкции электронных компонентов. Основное различие между электронными лампами и полупроводниковыми устройствами заключается в том, что в электронных лампах проводимость электронов происходит в газообразном состоянии, тогда как в случае полупроводниковых устройств это происходит в «твердом состоянии». Полупроводниковые устройства можно найти как в виде дискретных компонентов, так и в виде интегральных схем.
Почему полупроводники?
Основная причина использования полупроводниковых устройств (лежащих в основе полупроводниковых материалов) в производстве электронных устройств и компонентов - это возможность легко управлять проводимостью носителей заряда, то есть электронов и дырок.
Как упоминалось ранее, электропроводность полупроводниковых материалов находится между проводниками и изоляторами. Даже эта проводимость может контролироваться внешними или внутренними факторами, такими как электрическое поле, магнитное поле, свет, температура и механические искажения.
Пока что игнорируя внешние факторы, такие как температура и свет, процесс, называемый легированием, обычно выполняется с полупроводниковыми материалами, когда в его структуру вводятся примеси, чтобы изменить структурные, а также электрические свойства.
Чистый полупроводник известен как внутренний полупроводник, в то время как нечистый или легированный полупроводник известен как внешний полупроводник.
Когда количество свободных электронов в полупроводниковой структуре увеличивается после легирования, полупроводник известен как полупроводник n-типа. Точно так же, если количество отверстий увеличено, он известен как полупроводник p-типа.
Собственная проводимость полупроводников
Если напряженность электрического поля в образце равна нулю, то движение освободившихся электронов и "дырок" происходит беспорядочно и поэтому не создает электрический ток.
Под воздействием электрического поля электроны и дырки начинают упорядочное (встречное) движение, образуя электрический ток. Проводимость при этих условиях называют собственной проводимостью полупроводников. При этом движение электронов создает электронную проводимость, а движение дырок - дырочную проводимость.
Различные типы полупроводниковых приборов
Ниже приводится небольшой список некоторых из наиболее часто используемых полупроводниковых устройств. В зависимости от физической структуры устройства следующий список подразделяется на устройства с двумя терминалами и устройства с тремя терминалами.
Двухконтактные полупроводниковые приборы
Диод
Диод Шоттки
Светоизлучающий диод (LED)
DIAC
Стабилитрон
Фотодиод (фототранзистор)
PIN-диод
Лазерный диод
Туннельный диод
Фото ячейка
Солнечная батарея
Диод Ганна
IMPATT диод
TVS-диод (диод для подавления переходных напряжений)
VCSEL (лазер с вертикальным резонатором, излучающий поверхность)
Трехконтактные полупроводниковые приборы
Биполярный транзистор
Полевой транзистор
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
Транзистор Дарлингтона
Кремниевый управляемый выпрямитель (SCR)
ТРИАК
Тиристор
Однопереходный транзистор
Есть также несколько полупроводников с четырьмя выводами, таких как оптопара (оптопара) и датчик Холла.
Применение полупроводниковых приборов
Как упоминалось ранее, полупроводниковые приборы являются основой почти всех электронных устройств. Некоторые из применений полупроводниковых устройств:
Транзисторы - основные компоненты в различных интегральных схемах, таких как микропроцессоры.
Фактически, они являются основными компонентами в конструкции логических вентилей и других цифровых схем.
Транзисторы также используются в аналоговых схемах, таких как усилители и генераторы.
