Объяснение:
При обратном включении к р-области подсоединен “-” источника, а к n-области – “+” источника. Направление поля, которое создается источником внешнего напряжения, совпадает с направлением поля p-n–перехода. Поля складываются и потенциальный барьер между p- и n- областями увеличивается. Диффузионный ток уменьшается и увеличивается дрейфовый ток. Полный ток p-n–перехода определяется только дрейфовым током, т.е. током неосновных носителей заряда. Этот ток называется обратным. Т.о. p-n–переход, включенный в прямом направлении пропускает электрический ток, а включенный в обратном направлении – не пропускает. P-N-переход при обратном напряжении Uобр аналогичен конденсатору со значительным током утечки в диэлектрике. Запирающий слой имеет высокое сопротивление и играет роль диэлектрика, а по обе его стороны расположены два разноименных объемных заряда +Qобр и –Qобр., созданные ионизированными атомами донорной и акцепторной примеси. Поэтому р-n-переход обладает емкостью, подобной конденсатору с двумя обкладками. Эту емкость называют барьерной емкостью. Барьерная емкость, как и емкость обычных конденсаторов, возрастает при увеличении площади р-n–перехода, диэлектрической проницаемости полупроводника и уменьшении толщины запирающего слоя. Особенность барьерной емкости состоит в том, что она нелинейная, т. е. изменяется при изменении напряжения на переходе. Если обратное напряжение возрастает, то толщина запирающего слоя увеличивается и емкость Сб, уменьшается. Характер этой зависимости показывает график на рисунке. Как видно, под влиянием напряжения Uобр емкость Сб изменяется в несколько раз. Зависимость полного тока p-n–перехода от приложенного внешнего напряжения называется статической вольт – амперной характеристикой перехода. При достижении обратным напряжением критического значения Uпр обратный ток резко возрастает. Этот режим называется пробоем p-n–перехода. С практической точки зрения можно выделить два вида пробоя: 1)электрический пробой – он не опасен для p-n–перехода: при отключении источника обратного напряжения вентильные свойства перехода полностью восстанавливаются; 2)тепловой пробой – он может привести к разрушению кристалла и является аварийным режимом. Электрический пробой вызван чрезмерным вырастанием напряженности электрического поля в переходе. Обратный ток вырастает, т.к. электрическое поле большой напряженности вырывает ее из ковалентных связей, и это приводит к увеличению концентрации носителей заряда в переходе. Тепловой пробой вызван нагревом перехода и сопровождается резким увеличением термогенерации носителей заряда в области перехода. Одним из важных параметров полупроводниковых приборов с электронно-дырочными переходами является допустимое обратное напряжение Uобр.max, при котором сохраняется свойство односторонней электропроводности.
Объяснение:
Дано: СИ
m1=231г 0,231кг
V2=1,2л
t1=24°C
t2=100°C
c1=920Дж/кг°С
с2=4200Дж/кг°С
ρ2=1000кг/м³
Q-?
Q1=c1*m1*Δt=920*0,231*(100-24)=16152Дж
Q2=c2*V2*ρ2*Δt=4200*1,2*1*(100-24)=383040Дж
Q=Q1+Q2=16152+383040=399192Дж=399кДж
ответ: на нагрев воды и кастрюли затратили 399кДж тепла.
Дано: СИ
m=110г 0,11кг
t2=28°C
Q=6кДж 6000Дж
с=250Дж/кг°С
t1-?
Q=c*m*Δt
Δt=Q/(c*m)=6000/(0,11*250)=22°С
t1=t2+Δt=28+22=50°C
ответ: температура серебра до охлождения была 50°С
Дано:
m1=5кг
Δt1=27°С
m2=5кг
Δt2=5,7°С
С2=4200Дж/кг°С
С2-?
Q1=C1*m1*Δt1
Q2=C2*m2*Δt2
По условию Q1=Q2
Если левые части равны, то и правые части уравнения равны:
С1*m1*Δt1=C2*m2*Δt2
Отсюда С2=С1*m1*Δt1/(m2*Δt2)=4200*5*5,7/(5*27)=886,7Дж/кг°С
ответ: удельная теплоемкость кирпича равна 886,7Дж/кг°С
