Пусть объем сосуда V . Масса воды равна m(воды)=ρ(воды)*V
Масса m(ртути)=ρ(ртути)*V. где символ "ρ" плотность. Число молей воды n(воды)=m(воды)/μ(воды)
n(ртути)=m(ртути)/μ(ртути). где μ- молярная масса. Число молекул воды N(воды)=n(воды)*Na
N(ртути)=n(ртути)*Na. Na число авагадро. Оно постоянно. Молярную массу смотришь в таблице менделеева, плотности в таблицах.
число атомов воды =N(воды)/3.т.к вода трехатомная. число атомов ртути=числу молекул ртути т.к ртуть одноатомная. отношение числа атомов воды к-ртути=N(воды)/(3N(ртути))=n(воды)*Na/(3n(ртути)*Na)=
n(воды)/(3n(ртути))=m(воды)*μ(ртути)/(3m(ртути)*μ(воды))=ρ(воды)*V*μ(ртути)/(3ρ(ртути)*V*μ(воды))=
=ρ(воды)*μ(ртути)/(3ρ(ртути)*μ(воды))=1000*207.2/(3*13600*18)=0.28<1 следовательно атомов ртути больше в ~3,57 раз:)
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
