2. E = (m1-m2)×c²
m1=0,000025735 кг
m2=0,000025734 кг
c = 300 000 000 м/с
Тогда получим:
E = (0,000025735 кг - 0,000025734 кг) × (300 000 000 м/с)² = 90 000 000 Дж = 90 МДж
3. E = mc² = 4 200 000 000 кг × (300 000 000 м/с)² = 3,78 × 10 ^ 26 джоулей - столько энергии выделяется за 1 секунду. Мощность N = E/t, то есть делим нашу энергию на 1 секунду и получаем, что N = 3,78 × 10 ^ 26 Вт = 3,78 × 10 ^ 17 ГВт = 3,78 × 10 ^ 14 ТВт.
Суммарная мощность электростанций мира по прогнозам на 2020 год будет составлять ≈ 2,3 ТВт. Это значит, что Солнце выдает мощность в 1,64 × 10^14 больше, чем все электростанции Земли.
Поверхность планеты, обращенная к Солнцу, ничтожно мала по сравнению с поверхностью сферы, на которую распределяется энергия солнца, поэтому и использовать полностью эту энергию невозможно.
3. Необходимо уменьшение объема в 2 раза, следовательно и длина кубика в направлении движения должна сократиться в 2 раза.
l = lo×корень(1 - v²/c²)
корень(1-v²/c²) = 0,5
1-v²/c² = 0,25
v²/c² = 0,75
v=корень(0,75×с²) ≈ 0,87 с
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
