
1) s(полной поверхности) = s(боковой поверхности) + 2s(основания) = 12 + 72 = 84 кв.см
2)т.к. в основании прямоугольный треугольник, то его площадь расчитывается как половина произведения катетов: 2s(основания) = 2*(1/2 * 3* 4 ) = 12 квадратным сантиметрам.
3) по теореме: s(боковой поверхности) = произведению периметра основания на высоту призмы, имеем: 6роснования.
гиппотенузу основания находим по теореме пифагора, получаем 5см. тогда р основания = 5+4+3 = 12 см. а s(боковой поверхности) = 6*12 = 72 кв.см.
Это всё эквивалентные: для последовательного R123= R1+R2+R3= 2+3+1=6 Ом (один э-ный вместо трех)
для параллельного R1234= R123*R4/ (R123+R4)= 2 Ом ==Rобщ. Всё, дальше сворачивать нечего, получили один -единственный эквивалентный резистор. Далее по Ому U=I*R, пхаем его везде где можно.
Если Iобщ=25 А, то имеем Uобщ=25*2=50 В. Если же дано Uобщ=50 В, то Iобщ= 50/2= 25А. То есть кто-то из них лишний в дано, хоть и не противоречат друг другу.
Теперь разворачиваем обратно.
U4=U123=U=50B, I4=50/3= 16.67A I123= 50/6= 8.33A =I1=I2=I3
U1= 8.33*2= 16.66В, U2= 8.33*3= 24.99В, U3=8.33B
Всё.