При низких температурах в полупроводниках все электроны связаны с ядрами и сопротивление большое; при увеличении температуры кинетическая энергия частиц увеличивается, рушатся связи и возникают свободные электроны - сопротивление уменьшается. Свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряженности эл. поля. Электронная проводимость полупроводников обусловлена наличием свободных электронов.
2) дырочная ( проводимость " p" - типа )
При увеличении температуры разрушаются ковалентные связи, осуществляемые валентными электронами, между атомами и образуются места с недостающим электроном - "дырка". Она может перемещаться по всему кристаллу, т. к. ее место может замещаться валентными электронами. Перемещение "дырки" равноценно перемещению положительного заряда. Перемещение дырки происходит в направлении вектора напряженности электрического поля. 2. Данный закон следует из закона сохранения заряда. Если цепь содержит p узлов, то она описывается p − 1 уравнениями токов. Этот закон может применяться и для других физических явлений (к примеру, водяные трубы) , где есть закон сохранения величины и поток этой величины.
Если объемы одинаковые, то и силы Архимеда были бы одинаковыми (вытесняется один и тот же объем воздуха) F Архимеда = ρ воздуха* g * V Просто подъемная сила гелиевого шара будет меньше подъемной силы водородного шара
F под = F архимеда - mo*g
mo - масса полезного груза + масса оболочки шара + МАССА ГАЗА = = m+ρ*V
Но масса газа зависит от ПЛОТНОСТИ, то подъемная сила гелиевого шара будет меньше, чем водородного
Запишем формулу вычисления подъемной силы:
F под = F Архимеда - (m + ρV)*g где ρ - плотность газа (водорода или гелия)
0,0(0 оценок)
Полный доступ
Позволит учиться лучше и быстрее. Неограниченный доступ к базе и ответам от экспертов и ai-bota
Оформи подписку
