Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
Биполярный транзистор – это прибор с двумя р-n-переходами и тремя выводами (рис. 4.1). Возможны две структуры транзистора: р–n–p и n–p–n.Транзистор, выполненный по структуре p-n-p, называют транзистором прямой проводимости, а со структурой n-p-n-обратной.Процессы в транзисторах p-n-p и n-p-n аналогичны. Поэтому рассмотрим только один. Возможны четыре режима работы транзистора
Активный режим: эмиттерный переход открыт, коллекторный – закрыт.
Режим насыщения: оба перехода открыты.
Режим отсечки: оба перехода закрыты.
Инверсный активный режим: коллекторный переход открыт, эмиттерный закрыт.
Во всех аналоговых устройствах транзистор используется в активном режиме. Другие режимы транзистора характерны для импульсных устройств.
Рассмотрим токи через транзистор со структурой p-n-p в активном режиме. Для транзистора структуры n-p-n полярность напряжений на электродах должна быть противоположной. Ток через открытый эмиттерный переход равен сумме электронного и дырочного
