Сколько воды можно поднять на высоту 10 метром в течении 1 часа с насоса мощностью 4,8 квт,кпд которого 70 %

вначале первый груз m движется со скоростью v
в конце его скорость направлена вдоль первоначальной оси в противоположном направлении 

направим ось х вдоль первоначального направления скорости тела m 
направим ось у вдоль первоначального направления скорости тела 2m

скорость тела m была (v; 0)
скорость тела m стала (-2v; 0)

и в результате действия силы F тела m и 2m получают импульс силы Ft равный изменению импульса тел
 
для тела m:
вдоль оси х изменение импульса (-m*2v - m*v) = - 3mv
вдоль оси у изменение импульса (m*0 - m*0) = 0

та же самая сила действует на тело 2m и изменения импульса будут такими-же

вдоль оси х
скорость тела 2m была 0
импульс был 0
изменение импульса  -3mv
импульс стал -3mv
скорость стала -3mv/(2m)=-3v/2

вдоль оси у 
скорость тела 2m была 2v 
импульс был 2m*2v=4mv
изменение импульса  0
импульс стал 4mv
скорость стала 4mv/(2m)=2v
  
скорсть тела 2m была (0; 2v)
скорсть тела 2m стала (-1,5v; 2v)

модуль скорости тела 2m стал корень( (-1,5v)^2+ (2v)^2)=2,5v - это ответ

Вот ответ на твой вопрос 

Свойства p-n - перехода. Полупроводниковые приборы являются основой современной электронной техники. Они применяются в радиоприемниках и телевизорах, микрокалькуляторах и электронных вычислительных машинах. Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на использовании свойств p-n - перехода.  Для создания p-n - перехода в кристалле с электронной проводимостью нужно создать область с дырочной проводимостью или в кристалле с дырочной проводимостью — область с электронной проводимостью.  Такая область создается введением примеси в процессе выращивания кристалла или введением атомов примеси в готовый кристалл. Через границу, разделяющую области кристалла с различными типами проводимости, происходит диффузия электронов и дырок