Найдём планируемое время пути t= дробь, числитель — s, знаменатель — v = дробь, числитель — 600 \км, знаменатель — 100 км/ч =6 ч. Второй участок пути равен 600 : 4 = 150 км, первый участок 600 − 150 = 450 км. Найдём время движения на каждом участке:
t_1= дробь, числитель — s_1, знаменатель — v_1 = дробь, числитель — 450 \км, знаменатель — 100 км/ч =4,5 ч;
t_2= дробь, числитель — s_2, знаменатель — v_2 = дробь, числитель — 150 \км, знаменатель — 50 км/ч =3 ч.
Значит, машина была в пути 4,5 + 3 = 7,5 ч против 6 ч запланированных. Автомобиль приехал в Псков на 7,5 − 6 = 1,5 ч позже.
2. Средняя скорость автомобиля равна
v_{\text{ср}}= дробь, числитель — s, знаменатель — t = дробь, числитель — 600 км, знаменатель — 7,5 \ч =80 км/ч.
ответ: время 1,5 ч, средняя скорость 80 км/ч.
Объяснение:
Полупроводники бывают:
1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;
2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;
3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.
Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.
Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.
Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .
В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.
В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.
Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.
Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник
В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.
В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .
Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.
